为促进教师科研交流，10月25日下午基础教学部/美育中心在教学B112室举行学术汇报。本次学术汇报主讲人为杜春艳，其汇报题目为“改性掺杂的硫化银纳米材料电学性质的理论研究”。

报告主要介绍了其以密度泛函理论的第一性原理研究的两部分内容，研究内容一为本征缺陷对单斜硫化银电子性能的影响，研究结果表明在晶体硫化银中适当引入银缺陷可以提高其导电性。室温单斜硫化银的本征载流子主要是空穴，用硫化银制备高导电p型材料相对容易。

图一(a) ~(b)分别为模型I和模型II中不同缺陷浓度下总态密度。(c)为费米能级处的态密度随缺陷浓度的变化。

研究内容二为掺杂浓度对单斜硫化银电学性质的影响，该研究制备不同浓度的铜掺杂硫化银，对比在不同掺杂浓度下铜取代掺杂和间隙掺杂对硫化银电子性能的影响。研究发现间隙铜的引入使得宿主硫化银的带隙减小，此研究结果与实验光谱红移吻合，并验证了间隙铜掺杂硫化银带隙减小的主要原因是由于导带底铜原子 d 轨道下移。

图二 (a)~(d)分别为硫化银、铜取代I型银原子 、铜取代II型银原子和间隙铜掺杂硫化银的能带结构

会上基础教学部/美育中心史书慧主任、吉晓瑞主任及物理教研室老师对该研究内容中涉及到的计算方法以及如何选取合适的材料研究进行了讨论。基础教学部/美育中心非常重视青年教师的科研工作，通过教师展示研究内容、汇报科研成果促进教师间的合作发展，引导青年教师快速成长。

图三 单斜硫化银结构图

图四 单斜硫化银的几何结构和局部键长变化

图五 缺陷硫化银的两种结构模型